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ライセンス: In Copyright
キーワード: Ga2O3
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7 件のレコードが見つかりました。
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
論文
著者
Yuichi Oshima
; Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
Photoelectron holographic study for atomic site occupancy for Si dopants in Si-doped κ-Ga2O3(001)
論文
著者
Yuhua Tsai
; Yusuke Hashimoto ; ZeXu Sun ; Takuya Moriki ; Takashi Tadamura ;
Takahiro Nagata
; Piero Mazzolini ; Antonella Parisini ; Matteo Bosi ; Luca Seravalli ; Tomohiro Matsushita ;
Yoshiyuki Yamashita
キーワード
Ga2O3
,
κ-Ga2O3
刊行年月日
2024-04-03
更新時刻
2025-03-07 12:30:11 +0900
Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
論文
著者
Yuhua Tsai
;
Masaaki Kobata
;
Tatsuo Fukuda
;
Hajime Tanida
; Toru Kobayashi ;
Yoshiyuki Yamashita
キーワード
Ga2O3
,
dopant
,
b-Ga2O3
刊行年月日
2024-03-11
更新時刻
2024-03-19 12:30:20 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
論文
著者
Elaheh Ahmadi ;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
power device
,
epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3
書籍
著者
大島祐一
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2020-04-24
更新時刻
2024-01-30 10:29:29 +0900
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography
論文
著者
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
lithography
刊行年月日
2023-01-01
更新時刻
2024-01-24 11:20:15 +0900
キーワード
Ga2O3
(7)
HVPE
(2)
(-102)
(1)
ELO
(1)
b-Ga2O3
(1)
dislocation
(1)
dopant
(1)
epitaxy
(1)
lithography
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
selective area growth
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κ-Ga2O3
(1)
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