ジャーナル論文
Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure of Si Dopants for Si-doped κ-Ga2O3(001)
Yoshiyuki YAMASHITA
(author)
(この著者で検索)
Yuhua TSAI
(author)
(この著者で検索)
Yusuke HASHIMOTO
(author)
(この著者で検索)
Tomohiro MATSUSHITA
(author)
(この著者で検索)
Piero MAZZOLINI
(author)
(この著者で検索)
コレクション
引用
Yoshiyuki YAMASHITA, Yuhua TSAI, Yusuke HASHIMOTO, Tomohiro MATSUSHITA, Piero MAZZOLINI.
Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure of Si Dopants for Si-doped κ-Ga2O3(001).
Vacuum and Surface Science.
2026,
69
(7),
.
https://doi.org/10.1380/vss.69.346
説明:
(abstract)既に出版している濃度とは異なるSiをドープしたk-Ga2O3を用い、濃度が異なることによるドーパントの原子構造、キャリア密度、ドーパントの活性サイト・不活性サイトの割合変化を議論した。
権利情報:
キーワード: Photoelectron Holography, Ga2O3, dopant
刊行年月日: 2026-07-10
出版者: Surface Science Society Japan
掲載誌:
- Vacuum and Surface Science (ISSN: 24335835) vol. 69 issue. 7
研究助成金:
原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6445
公開URL: https://doi.org/10.1380/vss.69.346
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2026-08-05 15:56:53 +0900
MDRでの公開時刻: 2026-08-05 18:28:00 +0900
| ファイル名 | サイズ | |||
|---|---|---|---|---|
| ファイル名 |
再々投稿_260324.docx
(サムネイル)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document |
サイズ | 7.19MB | 詳細 |