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コレクション

引用

代替タイトル: パワーデバイスに向けたα- および β- Ga2O3の開発

説明:

パワーデバイスに向けたα-　および β- Ga2O3の材料およびデバイス開発の最新状況を概観する。

権利情報:

• In Copyright
  

  This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. This article appeared in Elaheh Ahmadi et al., J. Appl. Phys. 126, 160901 (2019) and may be found at https://doi.org/10.1063/1.5123213.

キーワード: Ga2O3, power device, epitaxy

刊行年月日: 2019-10-28

出版者: AIP Publishing

掲載誌:

• JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (ISSN: 00218979) vol. 126 issue. 16 p. 160901-160901

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1063/1.5123213

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-01-29 15:08:11 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-01-29 16:30:09 +0900