論文 Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)

Yuhua Tsai ORCID (National Institute for Materials Science) ; Masaaki Kobata ORCID ; Tatsuo Fukuda ORCID ; Hajime Tanida ORCID ; Toru Kobayashi ; Yoshiyuki Yamashita SAMURAI ORCID (National Institute for Materials Science)

nohighlight_Sn_dopedGa2O3_240222_v2_revYY.pdf
Download file (710KB)
Download as zip (660KB)
コレクション

引用
Yuhua Tsai, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Hajime Tanida, Toru Kobayashi, Yoshiyuki Yamashita. Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001). Applied Physics Letters. 2024, 124 (11), . https://doi.org/10.1063/5.0198160
SAMURAI

説明:

(abstract)

Snドープ β-Ga2O3(001)のドーパントの原子位置を光電子ホログラフィ法により明らかにした。

権利情報:

キーワード: Ga2O3, dopant, b-Ga2O3

刊行年月日: 2024-03-11

出版者: AIP Publishing

掲載誌:

  • Applied Physics Letters (ISSN: 00036951) vol. 124 issue. 11

研究助成金:

  • Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology JPMXP1223AE0025
  • Japan Atomic Energy Agency 2023B-E09

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.4444

公開URL: https://doi.org/10.1063/5.0198160

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-03-19 12:30:20 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-03-19 12:30:20 +0900

ファイル名 サイズ
ファイル名 nohighlight_Sn_dopedGa2O3_240222_v2_revYY.pdf (サムネイル)
application/pdf 		サイズ 710KB 詳細