書籍 Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3

大島祐一 SAMURAI ORCID (Research Center for Functional Materials/Optical Materials Field/Optical Single Crystals Group, National Institute for Materials ScienceROR)

コレクション

引用
大島祐一. Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3. https://doi.org/10.48505/nims.4363
SAMURAI

代替タイトル: ハライド気相成長法2 - α- および ε-Ga2O3 のヘテロエピ成長

説明:

(abstract)

αおよびε酸化ガリウムのHVPE成長について解説する。

権利情報:

キーワード: Ga2O3, HVPE

刊行年月日: 2020-04-24

出版者: Springer

掲載誌:

  • Gallium Oxide: Crystal Growth, Materials Properties, and Devices (Springer)

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.4363

公開URL: https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-030-37153-1_11

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連絡先:

更新時刻: 2024-01-30 10:29:29 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-01-30 12:30:20 +0900

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