ファイル種別: application/pdf キーワード: Ga2O3
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Epitaxial lateral overgrowth of m-plane -Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy-1.pdf
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Takashi Shinohe ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
Suplementary.pdf
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga2O3
論文
著者
Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, crystallographic etching, (011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900
Maruzane_2025_J._Phys._D__Appl._Phys._58_03LT02.pdf
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
論文
著者
Mugove Maruzane ORCID ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Olha Makydonska ORCID ; Paul R Edwards ORCID ; Robert W Martin ORCID ; Fabien C-P Massabuau ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation
刊行年月日
2025-01-20
更新時刻
2024-11-13 08:31:40 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of -Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure_organized.pdf
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
論文
著者
Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID ; Rie Togashi ORCID ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
論文
著者
Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
nohighlight_Si-K-Ga2O3_resubmit_2403011908_revYY.pdf
Photoelectron holographic study for atomic site occupancy for Si dopants in Si-doped κ-Ga2O3(001)
論文
著者
Yuhua Tsai ORCID ; Yusuke Hashimoto ; ZeXu Sun ; Takuya Moriki ; Takashi Tadamura ; Takahiro Nagata SAMURAI ORCID ; Piero Mazzolini ; Antonella Parisini ; Matteo Bosi ; Luca Seravalli ; Tomohiro Matsushita ; Yoshiyuki Yamashita SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, κ-Ga2O3
刊行年月日
2024-04-03
更新時刻
2025-03-07 12:30:11 +0900
nohighlight_Sn_dopedGa2O3_240222_v2_revYY.pdf
Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
論文
著者
Yuhua Tsai ORCID ; Masaaki Kobata ORCID ; Tatsuo Fukuda ORCID ; Hajime Tanida ORCID ; Toru Kobayashi ; Yoshiyuki Yamashita SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, dopant, b-Ga2O3
刊行年月日
2024-03-11
更新時刻
2024-03-19 12:30:20 +0900
042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
論文
著者
Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3.pdf
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
論文
著者
Elaheh Ahmadi ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, power device, epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
Figures181210.pdf
Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3
書籍
著者
大島祐一 SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2020-04-24
更新時刻
2024-01-30 10:29:29 +0900