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Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/ β -Ga2O3 (001) interfaces
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayuki Harada (author) (この著者で検索)
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Takuro Nagai (author) (この著者で検索)
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Kohei Sasaki (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
- キーワード
- Thin film, Ga2O3, Delafossite, Power devices, Schottky
- 刊行年月日
- 2026-06-01
- 更新時刻
- 2026-06-10 14:51:59 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
Epitaxial relationship of NiO on (-102) β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Shinji Nakagomi (author) (この著者で検索)Ishinomaki Senshu University Faculty of Science and Engineering
- キーワード
- Ga2O3, NiO, epitaxial relationship
- 刊行年月日
- 2023-12-01
- 更新時刻
- 2024-11-23 16:30:35 +0900
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates
- ジャーナル論文
- 著者
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;Yuji Kato (author) (この著者で検索)Masataka Imura (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, Superlattice
- 刊行年月日
- 2019-06-01
- 更新時刻
- 2024-01-05 22:11:34 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Rie Togashi (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
- 刊行年月日
- 2024-12-31
- 更新時刻
- 2024-07-31 12:30:20 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching, air bridge
- 刊行年月日
- 2025-05-01
- 更新時刻
- 2025-05-07 12:30:22 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
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;Kazuto Murakami (author) (この著者で検索);Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)Takahiro Tomita (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HVPE, Cr2O3
- 刊行年月日
- 2026-02-21
- 更新時刻
- 2026-02-18 16:30:15 +0900