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ジャーナル論文(15)
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Ga2O3 (16)
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Creative Commons BY Attribution 4.0 International (7)
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Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (3)
ファイル種別
application/pdf (14)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (2)
キーワード: Ga2O3
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16 件のレコードが見つかりました。
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi
(author) (
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)
Elaheh Ahmadi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
power device
,
epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick
c
-plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Shiyu Xiao
(author) (
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)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
Shiyu Xiao
;
Kazuto Murakami
(author) (
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)
Kazuto Murakami
;
Katsuhiro Imai
(author) (
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)
Katsuhiro Imai
;
Takahiro Tomita
(author) (
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)
Takahiro Tomita
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
,
Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3
書籍
著者
大島祐一
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Functional Materials/Optical Materials Field/Optical Single Crystals Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
大島祐一
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2020-04-24
更新時刻
2024-01-30 10:29:29 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/
β
-Ga2O3 (001) interfaces
ジャーナル論文
著者
Takayuki Harada
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0002-8657-2258
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayuki Harada
;
Takuro Nagai
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-5239-3334
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takuro Nagai
;
Kohei Sasaki
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
Kohei Sasaki
キーワード
Thin film
,
Ga2O3
,
Delafossite
,
Power devices
,
Schottky
刊行年月日
2026-06-01
更新時刻
2026-06-10 14:51:59 +0900
Fabrication of
β
-Ga
2
O
3
/air-gap structures on (010)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
wet etching
,
MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
ジャーナル論文
著者
Qihao Zhang
(author) (
この著者で検索
)
Qihao Zhang
;
Jiangwei Liu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Jiangwei Liu
;
Chunming Tu
(author) (
この著者で検索
)
Chunming Tu
;
Dongyuan Zhai
(author) (
この著者で検索
)
Dongyuan Zhai
;
Min He
(author) (
この著者で検索
)
Min He
;
Jiwu Lu
(author) (
この著者で検索
)
Jiwu Lu
キーワード
Ga2O3
,
Transistor
刊行年月日
2023-01-03
更新時刻
2025-01-04 16:30:50 +0900
Mapping primary crystallographic planes in
β
-Ga
2
O
3
based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
fcc
刊行年月日
2026-02-16
更新時刻
2026-02-18 16:30:08 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
キーワード
Ga2O3
(16)
HVPE
(3)
TMAH
(2)
dislocation
(2)
(-102)
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
ELO
(1)
HCl
(1)
MEMS
(1)
NiO
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
Superlattice
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
anisotropic etching
(1)
b-Ga2O3
(1)
dopant
(1)
epitaxial relationship
(1)
epitaxy
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
(1)
plasma-free process
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
selective area growth
(1)
wet etching
(1)
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RDE送り状
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