キーワード: Ga2O3
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31 件のレコードが見つかりました。

Plasma-free anisotropic selective-area etching of -Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure_organized.pdf
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Rie Togashi (author) (この著者で検索)
ORCID ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
alpha_SL.docx
α-Al2O3/Ga2O3 superlattices coherently grown on r-plane sapphire
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuji Kato (author) (この著者で検索)
;
Masataka Imura (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, Superlattice
刊行年月日
2018-06-01
更新時刻
2024-01-05 22:12:13 +0900
Suplementary.pdf
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, crystallographic etching, (011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900
APEX-107351.docx
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HCl gas etching
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-06-15 08:30:13 +0900
055207_1_5.0260753-2-8.pdf
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HCl gas etching, air bridge
刊行年月日
2025-05-01
更新時刻
2025-05-07 12:30:22 +0900
042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
paper.pdf
Wet etching of (−102) β-Ga 2 O 3 with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, wet etching, TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Rapid homoepitaxial growth of 011 -Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy.pdf
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga 2 O 3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
Manuscript_final .docx
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, selective area growth
刊行年月日
2022-07-01
更新時刻
2024-01-05 22:13:27 +0900