キーワード: Ga2O3
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27 件のレコードが見つかりました。

T. Oshima_Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography.docx
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, lithography
刊行年月日
2023-01-01
更新時刻
2024-01-24 11:20:15 +0900
nohighlight_Sn_dopedGa2O3_240222_v2_revYY.pdf
Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
ジャーナル論文
著者
Yuhua Tsai (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID ;
Masaaki Kobata (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Tatsuo Fukuda (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Hajime Tanida (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Toru Kobayashi (author) (この著者で検索)
;
Yoshiyuki Yamashita (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, dopant, b-Ga2O3
刊行年月日
2024-03-11
更新時刻
2024-03-19 12:30:20 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of -Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure_organized.pdf
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Rie Togashi (author) (この著者で検索)
ORCID ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
Oshima_2025_Appl._Phys._Express_18_116501-1.pdf
Fabrication of β -Ga 2 O 3 /air-gap structures on (010) β -Ga 2 O 3 by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, wet etching, MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
jjap_65_3_038003-1.pdf
Mapping primary crystallographic planes in β -Ga 2 O 3 based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, fcc
刊行年月日
2026-02-16
更新時刻
2026-02-18 16:30:08 +0900
jjap_64_8_088001.pdf
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
APEX-107351.docx
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HCl gas etching
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-06-15 08:30:13 +0900
Manuscript_final .docx
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, selective area growth
刊行年月日
2022-07-01
更新時刻
2024-01-05 22:13:27 +0900