メニュー
MDRについて
ヘルプ
お問い合わせ
Switch language
日本語
English
ログイン
ログイン
Search MDR
Home
論文・データセット
コレクション
MDR XAFS DB(1)
資源タイプ
ジャーナル論文(22)
書籍(1)
データセット(1)
キーワード
Ga2O3 (24)
HVPE (4)
TMAH (3)
HCl gas etching (2)
dislocation (2)
selective area growth (2)
wet etching (2)
(-102) (1)
(−112) (1)
Aichi SR (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (11)
In Copyright (8)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (4)
Creative Commons BY-NC-SA Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (20)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (3)
application/json (1)
application/octet-stream (1)
application/zip (1)
image/png (1)
text/tab-separated-values (1)
試料の化学組成
酸化ガリウム(III) (1)
解析分野
分光法 (1)
計測法
X線吸収分光法 (1)
試料種別
酸化物 (1)
試料の構造的特徴
局所構造 (1)
キーワード: Ga2O3
全ての絞り込みを解除
24 件のレコードが見つかりました。
全ての絞り込みを解除
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/
β
-Ga2O3 (001) interfaces
ジャーナル論文
著者
Takayuki Harada
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-8657-2258
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayuki Harada
;
Takuro Nagai
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-5239-3334
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takuro Nagai
;
Kohei Sasaki
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
Kohei Sasaki
キーワード
Thin film
,
Ga2O3
,
Delafossite
,
Power devices
,
Schottky
刊行年月日
2026-06-01
更新時刻
2026-06-10 14:51:59 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
etching
,
HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
selective area growth
刊行年月日
2022-07-01
更新時刻
2024-01-05 22:13:27 +0900
HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(−112)
,
HVPE
,
HCl gas etching
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-07-16 10:12:49 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HCl gas etching
,
air bridge
刊行年月日
2025-05-01
更新時刻
2025-05-07 12:30:22 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Lattice-matched (Al
x
Sc
y
Ga1−
x
−
y
)2O3/
β
-Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
ジャーナル論文
著者
Kazuki Koreishi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
Kazuki Koreishi
;
Kodai Niitsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-0430-8868
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Kodai Niitsu
;
Takuto Soma
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
Takuto Soma
;
Kohei Yoshimatsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
Kohei Yoshimatsu
;
Akira Ohtomo
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
Akira Ohtomo
キーワード
Ga2O3
,
Wide bandgap
,
Bandgap engineering
刊行年月日
2026-07-06
更新時刻
2026-08-06 09:39:59 +0900
キーワード
Ga2O3
(24)
HVPE
(4)
TMAH
(3)
HCl gas etching
(2)
dislocation
(2)
selective area growth
(2)
wet etching
(2)
(-102)
(1)
(−112)
(1)
Aichi SR
(1)
BL5S1
(1)
Bandgap engineering
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
ELO
(1)
Ga K-edge
(1)
Gallium(III) Oxide
(1)
HCl
(1)
MEMS
(1)
NiO
(1)
Oxide
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
Si(111)
(1)
Superlattice
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
Wide bandgap
(1)
XAFS
(1)
air bridge
(1)
anisotropic etching
(1)
b-Ga2O3
(1)
collection - MDR XAFS DB
(1)
dopant
(1)
epitaxial relationship
(1)
epitaxy
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
(1)
plasma-free process
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
κ-Ga2O3
(1)
RDEメタデータ定義
RDE送り状
<
1
2
3
>
絞り込み
コレクション
MDR XAFS DB(1)
資源タイプ
ジャーナル論文(22)
書籍(1)
データセット(1)
キーワード
Ga2O3 (24)
HVPE (4)
TMAH (3)
HCl gas etching (2)
dislocation (2)
selective area growth (2)
wet etching (2)
(-102) (1)
(−112) (1)
Aichi SR (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (11)
In Copyright (8)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (4)
Creative Commons BY-NC-SA Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (20)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (3)
application/json (1)
application/octet-stream (1)
application/zip (1)
image/png (1)
text/tab-separated-values (1)
試料の化学組成
酸化ガリウム(III) (1)
解析分野
分光法 (1)
計測法
X線吸収分光法 (1)
試料種別
酸化物 (1)
試料の構造的特徴
局所構造 (1)