ライセンス: In Copyright

2244 件のレコードが見つかりました。

(5)二重ELO-paper_r03.3_最終版(YO-edit).pdf
Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double layered epitaxial lateral overgrowth
論文
著者
Katsuaki Kawara ; Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Mitsuru Okigawa ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3, dislocation, ELO
刊行年月日
2020-07-01
更新時刻
2024-01-22 09:40:04 +0900

Manuscript clean source file (K-ELO)Oshima.pdf
In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Katsuaki Kawara ; Takayoshi Oshima ; Takashi Shinohe
キーワード
κ-Ga2O3, ε-Ga2O3, ELO, domain, HVPE
刊行年月日
2020-11-01
更新時刻
2024-01-22 09:39:14 +0900

Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along .pdf
Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along -12-10>
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Shingo Yagyu ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3, HVPE, dislocation, ELO
刊行年月日
2021-11-07
更新時刻
2024-01-30 16:49:49 +0900

Maskless_230605_clean.pdf
Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers via rapid growth at low temperatures by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Hiroyuki Ando ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3, dislocation, HVPE
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-06-23 08:30:11 +0900

BGO(001)etch230802_clean.pdf
Effect of temperature and HCl partial pressure on the selective area gas etching of (001) β-Ga2O3
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
β-Ga2O3, etching
刊行年月日
2023-08-01
更新時刻
2024-08-21 08:30:30 +0900

BGO(-102)HVPE_full_230811_clean.pdf
Homoepitaxial growth of (-102) β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
β-Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2023-10-01
更新時刻
2024-08-31 08:31:17 +0900

Al-composition-xrd(APEX)2nd.pdf
Composition determination of beta-(AlxGa1-x)2O3 layers coherently grown on (010) beta-Ga2O3 substrates by high-resolution x-ray diffraction
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Elaheh Ahmadi ; Stefan C. Badescu ; Feng Wu ; James S. Speck
キーワード
β-Ga2O3, composition, atom probe
刊行年月日
2016-06-01
更新時刻
2024-01-24 09:26:50 +0900

PhysRevLett.120.235901.pdf
Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy
論文
著者
H. Uchiyama ; Y. Oshima SAMURAI ORCID ; R. Patterson ; S. Iwamoto ; J. Shiomi ; K. Shimamura SAMURAI ORCID
キーワード
ScN, phonon
刊行年月日
2018-06-07
更新時刻
2024-01-31 09:15:10 +0900

Hydride vapor phase epitaxy and characterization of highquality ScN epilayers.pdf
Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Encarnación G. Víllora ; Kiyoshi Shimamura SAMURAI ORCID
キーワード
ScN, HVPE
刊行年月日
2014-04-21
更新時刻
2024-01-30 16:35:16 +0900

alpha-Ga2O3-ver4.0.pdf
Halide Vapor Phase Epitaxy of twin-free a-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates
論文
著者
Yuichi Oshima SAMURAI ORCID ; Encarnación G. Víllora ; Kiyoshi Shimamura SAMURAI ORCID
キーワード
α-Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2015-05-01
更新時刻
2024-01-22 09:34:09 +0900