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Alternative title: HVPE法によるScNの成長と評価

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ScClxとNH3との反応によるHVPEでScNを育成した。成長速度は、原料分圧の増大に伴って最初は増加するが、やがて減少に転じ、最大成長速度は5um/h程度であった。基板は種々試みたが、サファイア(10-12)と(10-10)を用いたときに単一配向のScN(100)および(110)がそれぞれ得られた。エピ表面は肉眼で鏡面であり、約2.1eVのバンドギャップに対応して真紅の外観を呈する。結晶性は、成長膜厚の増大に伴って大幅に改善し、ScN(110)膜の場合、X線ロッキングカーブ(XRC)半値幅は厚さ40uｍで98 arcsecに到達した。ホール測定の結果は、従来の報告と同様に強いn型を示したが、残留キャリア濃度は1e18 - 1e20 cm-3と従来報告値より大幅に低減し、移動度もそれに伴って高い値が得られた。

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• In Copyright
  This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. This article appeared in Yuichi Oshima et al., J. Appl. Phys. 115, 153508 (2014) and may be found at https://doi.org/10.1063/1.4871656.

Keyword: ScN, HVPE

Date published: 2014-04-21

Publisher: AIP Publishing

Journal:

• JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (ISSN: 00218979) vol. 115 issue. 15 p. 153508-153508

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Manuscript type: Publisher's version (Version of record)

MDR DOI:

First published URL: https://doi.org/10.1063/1.4871656

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Updated at: 2024-01-30 16:35:16 +0900

Published on MDR: 2024-01-31 08:30:14 +0900