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Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (2)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (10)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: dislocation
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10 件のレコードが見つかりました。
Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis
論文
著者
Kazuma Torii ; Takuto Kojima ; Kentaro Kutsukake ; Hiroaki Kudo ; Noritaka Usami
キーワード
Silicon
,
dislocation
,
twin grain boundary
,
network analysis
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-07-16 16:14:54 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
論文
著者
Yuichi Oshima
; Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of
m
-plane α-Ga
2
O
3
by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga
2
O
3
論文
著者
Mugove Maruzane
;
Yuichi Oshima
;
Olha Makydonska
;
Paul R Edwards
;
Robert W Martin
;
Fabien C-P Massabuau
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
刊行年月日
2025-01-20
更新時刻
2024-11-13 08:31:40 +0900
Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double layered epitaxial lateral overgrowth
論文
著者
Katsuaki Kawara ;
Yuichi Oshima
; Mitsuru Okigawa ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
刊行年月日
2020-07-01
更新時刻
2024-01-22 09:40:04 +0900
Visualization of threading dislocations in an α-Ga2O3 epilayer by HCl gas etching
論文
著者
Yuichi Oshima
; Shingo Yagyu ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3
,
dislocation
,
etching
刊行年月日
2021-10-19
更新時刻
2024-01-22 09:38:31 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along -12-10>
論文
著者
Yuichi Oshima
; Shingo Yagyu ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3
,
HVPE
,
dislocation
,
ELO
刊行年月日
2021-11-07
更新時刻
2024-01-30 16:49:49 +0900
Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers via rapid growth at low temperatures by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima
; Hiroyuki Ando ; Takashi Shinohe
キーワード
α-Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-06-23 08:30:11 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Y. Oshima
; K. Kawara ; T. Shinohe ; T. Hitora ; M. Kasu ; S. Fujita
キーワード
α-Ga2O3
,
HVPE
,
ELO
,
dislocation
刊行年月日
2019-02-01
更新時刻
2024-01-29 16:48:15 +0900
Atomic Diffusion of Indium through Threading Dislocations in InGaN Quantum Wells
論文
著者
Yudai Yamaguchi ; Yuya Kanitani ; Yoshihiro Kudo ;
Jun Uzuhashi
;
Tadakatsu Ohkubo
;
Kazuhiro Hono
; Shigetaka Tomiya
キーワード
InGaN
,
dislocation
,
pipe diffusion
,
atom probe tomography
,
transmission electron microscopy
刊行年月日
2022-09-14
更新時刻
2024-01-05 22:12:51 +0900
キーワード
dislocation
(10)
ELO
(5)
HVPE
(5)
α-Ga2O3
(5)
Ga2O3
(3)
InGaN
(1)
Silicon
(1)
atom probe tomography
(1)
etching
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network analysis
(1)
pipe diffusion
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twin grain boundary
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