While the IMFP is a basic material parameter, the EAL, MED, and ID depend not only on the IMFP but also on the instrumental configuration...

我々は適用できるエネルギー範囲が広く，幅広い材料に対して適用できる改良型IMFP予測式(Jablonski-Tanuma-Powell (JTP)式)を開発した。この式はTPP-2M式を改良したもので、50eVから200keVまでの電子ネルギー範囲における100物質に対する...

VAMAS TWA2 表面化学分析における標準化は表面電子分光の装置仕様・校正法など基礎についてのものが多く，ほとんどのものはこのVAMAS活動により（個々人が）開発した手法，理論，データベース等に有用性が確認された後，ISOに提案され国際規格となっている．また，産業界にお...

The four physical parameters describing inelastic scattering of electrons, which is a measure of surface sensitivity, were described. The...

AESによる表面定量分析において重要な電子の背面散乱について検討した．電子の背面散乱係数の入射角度依存性，およびそのエネルギーの平均値および中央値について，モンテカルロ(MC)法を用いてBe, B, C, Al, Si, Cu, Zr, Ag, La, Auの10種類の元素...

Born近似、一般化振動子強度、誘電関数をキーパラメータとして、電子の非弾性散乱断面積について解説する。ボルン近似により、原子における電子の非弾性散乱断面積は振動子強度分布を用いて表すことができる。一方、誘電応答理論では、固体試料の非弾性散乱断面積を極小角散乱領域（すなわち...

「表面分析」は様々な捉え方が出来るが，ここでは実用的な「表面の化学分析」とする。産業界においては，表面分析は1980年代から現在にいたるまで材料評価の大きな部分を担っており，故障解析には不可欠のツールである。表面電子分光法を中心として，物作りを支える表面分析技術の現状とその...

固体中における電子の阻止能(SP)は，非弾性散乱を記述する基本的なパラメータの一つであり，表面電子分光法において電子輸送をシミュレートする場合に不可欠な物理量である．また，放射線計量における基本的物理量でもある。SPの値は10keV以上ではいわゆる相対論的Betheの式が一...

AESやXPSに代表される表面電子分光法における定量化は, 1982年のVAMAS プロジェクト TWA-2 SCAの設立と1991年のISO TC201SCAの設立が２つの大きな転換点といえる。前者では，個々人の定量研究から国際共同研究を通して，定量の信頼性や正確性・遡及...

実用表面電子分光法において，電子の非弾性散乱は固体中における電子輸送に関連するので，その理解は大変に重要である。そこで，すでに出版した「表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか？」I, II, IIIに続いて，実際的な電子の非弾性散乱の理解および計算に必要となる...