Publication
オージェ電子分光法における背面散乱補正 I．広い分析条件で使用可能な電子の背面散乱補正式の開発
MDR Open Deposited
AESによる表面定量分析において重要な電子の背面散乱について検討した．電子の背面散乱係数の入射角度依存性，およびそのエネルギーの平均値および中央値について，モンテカルロ(MC)法を用いてBe, B, C, Al, Si, Cu, Zr, Ag, La, Auの10種類の元素について検討し，電子の背面散乱係数の入射角度依存性を明らかにした．この電子の背面散乱係数をもちいて，加速電圧3- 30keV，電子線入射角度0 - 60度で使用可能な背面散乱補正係数の一般式を開発した．ここで提案した背面散乱補正係数の一般式は広いエネルギー範囲，広い電子線入射角度で使用することができる考えられる．
- First published at
- Creator
- Keyword
- Resource type
- Publisher
- Date published
- 14/07/2007
- Rights statement
- Journal
- Manuscript type
- Version of record (Published version)
- Language
Items
| Thumbnail | Title | Date Uploaded | Size | Visibility | Actions |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
07 Vol.14 No.1 9-19.pdf | 3.31 MB | MDR Open |
|