キーワード: Ga2O3
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042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
jjap_64_8_088001.pdf
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
article.pdf
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
APEX-107351.docx
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HCl gas etching
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-06-15 08:30:13 +0900
EB_alpha-GO_240422-2HQ(clean).pdf
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
FLOSFIA INC.
キーワード
Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
paper.pdf
Wet etching of (−102) β-Ga 2 O 3 with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, wet etching, TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Rapid homoepitaxial growth of 011 -Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy.pdf
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga 2 O 3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
gamma_SL.docx
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates
ジャーナル論文
著者
Yuji Kato (author) (この著者で検索)
;
Masataka Imura (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, Superlattice
刊行年月日
2019-06-01
更新時刻
2024-01-05 22:11:34 +0900
alpha_SL.docx
α-Al2O3/Ga2O3 superlattices coherently grown on r-plane sapphire
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuji Kato (author) (この著者で検索)
;
Masataka Imura (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, Superlattice
刊行年月日
2018-06-01
更新時刻
2024-01-05 22:12:13 +0900
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