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ジャーナル論文(21)
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Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (4)
ファイル種別
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application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (3)
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キーワード: Ga2O3
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22 件のレコードが見つかりました。
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
ジャーナル論文
著者
Qihao Zhang
(author) (
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)
Qihao Zhang
;
Jiangwei Liu
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Jiangwei Liu
;
Chunming Tu
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Chunming Tu
;
Dongyuan Zhai
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)
Dongyuan Zhai
;
Min He
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)
Min He
;
Jiwu Lu
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)
Jiwu Lu
キーワード
Ga2O3
,
Transistor
刊行年月日
2023-01-03
更新時刻
2025-01-04 16:30:50 +0900
Fabrication of
β
-Ga
2
O
3
/air-gap structures on (010)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
wet etching
,
MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
(110)- and (−134)-faceted surface morphology of halide vapor phase epitaxy-grown
β-
Ga
2
O
3
homoepitaxial layers on (011) substrates
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
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https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(011)
,
AFM
,
TEM
刊行年月日
2026-07-15
更新時刻
2026-07-09 10:29:39 +0900
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
crystallographic etching
,
(011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick
c
-plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Shiyu Xiao
(author) (
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)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
Shiyu Xiao
;
Kazuto Murakami
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Kazuto Murakami
;
Katsuhiro Imai
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)
Katsuhiro Imai
;
Takahiro Tomita
(author) (
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)
Takahiro Tomita
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
,
Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi
(author) (
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)
Elaheh Ahmadi
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
power device
,
epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
etching
,
HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
キーワード
Ga2O3
(22)
TMAH
(4)
HVPE
(3)
(011)
(2)
dislocation
(2)
wet etching
(2)
(-102)
(1)
AFM
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
ELO
(1)
HCl
(1)
MEMS
(1)
NiO
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
Superlattice
(1)
TEM
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
anisotropic etching
(1)
b-Ga2O3
(1)
crystallographic etching
(1)
dopant
(1)
epitaxial relationship
(1)
epitaxy
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
(1)
plasma-free process
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
selective area growth
(1)
κ-Ga2O3
(1)
RDEメタデータ定義
RDE送り状
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2
3
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