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Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis
- 論文
- 著者
- Kazuma Torii ; Takuto Kojima ; Kentaro Kutsukake ; Hiroaki Kudo ; Noritaka Usami
- キーワード
- Silicon, dislocation, twin grain boundary, network analysis
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-07-16 16:14:54 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
- 論文
- 著者
-
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
- 刊行年月日
- 2025-05-19
- 更新時刻
- 2025-05-21 16:30:09 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
- 論文
- 著者
-
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-04-23 12:30:12 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
- 論文
- 著者
-
Mugove Maruzane
;
Yuichi Oshima
;
Olha Makydonska
;
Paul R Edwards
;
Robert W Martin
;
Fabien C-P Massabuau
- キーワード
- Ga2O3, dislocation
- 刊行年月日
- 2025-01-20
- 更新時刻
- 2024-11-13 08:31:40 +0900
ɤ-TiAl alloy: Revisiting tensile creep deformation behaviour and creep life at 832 °C
- 論文
- 著者
-
Mainak Saha
- キーワード
- ɤ-TiAl, Monkman-Grant parameter, Coble creep, Nabarro-Herring creep, dislocation
- 刊行年月日
- 2022-10-31
- 更新時刻
- 2024-07-30 08:30:09 +0900
Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers via rapid growth at low temperatures by halide vapor phase epitaxy
- 論文
- 著者
-
Yuichi Oshima
;
Hiroyuki Ando
;
Takashi Shinohe
- キーワード
- α-Ga2O3, dislocation, HVPE
- 刊行年月日
- 2023-06-01
- 更新時刻
- 2024-06-23 08:30:11 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
- 論文
- 著者
-
Y. Oshima
;
K. Kawara
;
T. Shinohe
;
T. Hitora
;
M. Kasu
;
S. Fujita
- キーワード
- α-Ga2O3, HVPE, ELO, dislocation
- 刊行年月日
- 2019-02-01
- 更新時刻
- 2024-01-29 16:48:15 +0900