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6 件のレコードが見つかりました。

Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3.pdf
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, power device, epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Figures181210.pdf
Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3
書籍
著者
大島祐一 (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Functional Materials/Optical Materials Field/Optical Single Crystals Group
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2020-04-24
更新時刻
2024-01-30 10:29:29 +0900
APL26-AR-02454_accepted_manuscript.pdf
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/ β -Ga2O3 (001) interfaces
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI ;
Kohei Sasaki (author) (この著者で検索)
ORCID
キーワード
Thin film, Ga2O3, Delafossite, Power devices, Schottky
刊行年月日
2026-06-01
更新時刻
2026-06-10 14:51:59 +0900
EB_alpha-GO_240422-2HQ(clean).pdf
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
FLOSFIA INC.
キーワード
Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
nohighlight_Sn_dopedGa2O3_240222_v2_revYY.pdf
Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
ジャーナル論文
著者
Yuhua Tsai (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID ;
Masaaki Kobata (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Tatsuo Fukuda (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Hajime Tanida (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Toru Kobayashi (author) (この著者で検索)
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Yoshiyuki Yamashita (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, dopant, b-Ga2O3
刊行年月日
2024-03-11
更新時刻
2024-03-19 12:30:20 +0900