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ジャーナル論文(14)
書籍(1)
キーワード
Ga2O3 (15)
HVPE (3)
TMAH (2)
dislocation (2)
(-102) (1)
Cr2O3 (1)
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ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (8)
In Copyright (6)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (15)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: Ga2O3
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15 件のレコードが見つかりました。
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi
(author) (
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)
Elaheh Ahmadi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
power device
,
epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3
書籍
著者
大島祐一
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Functional Materials/Optical Materials Field/Optical Single Crystals Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
大島祐一
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2020-04-24
更新時刻
2024-01-30 10:29:29 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
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)
FLOSFIA INC.
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick
c
-plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Shiyu Xiao
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
Shiyu Xiao
;
Kazuto Murakami
(author) (
この著者で検索
)
Kazuto Murakami
;
Katsuhiro Imai
(author) (
この著者で検索
)
Katsuhiro Imai
;
Takahiro Tomita
(author) (
この著者で検索
)
Takahiro Tomita
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
,
Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Mugove Maruzane
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0004-9207-0424
(unauthenticated)
Mugove Maruzane
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Olha Makydonska
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0008-5562-2137
(unauthenticated)
Olha Makydonska
;
Paul R Edwards
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-7671-7698
(unauthenticated)
Paul R Edwards
;
Robert W Martin
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-6119-764X
(unauthenticated)
Robert W Martin
;
Fabien C-P Massabuau
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-1008-1652
(unauthenticated)
Fabien C-P Massabuau
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
刊行年月日
2025-01-20
更新時刻
2024-11-13 08:31:40 +0900
Mapping primary crystallographic planes in
β
-Ga
2
O
3
based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
fcc
刊行年月日
2026-02-16
更新時刻
2026-02-18 16:30:08 +0900
Fabrication of
β
-Ga
2
O
3
/air-gap structures on (010)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
wet etching
,
MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
キーワード
Ga2O3
(15)
HVPE
(3)
TMAH
(2)
dislocation
(2)
(-102)
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
ELO
(1)
HCl
(1)
MEMS
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
anisotropic etching
(1)
epitaxy
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
(1)
plasma-free process
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
selective area growth
(1)
wet etching
(1)
κ-Ga2O3
(1)
RDEメタデータ定義
RDE送り状
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