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ジャーナル論文(22)
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Ga2O3 (22)
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Creative Commons BY Attribution 4.0 International (15)
In Copyright (4)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (2)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (22)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (1)
application/zip (1)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: Ga2O3
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Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
この著者で検索
)
FLOSFIA INC.
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
etching
,
HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
Fabrication of
β
-Ga
2
O
3
/air-gap structures on (010)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
wet etching
,
MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of
m
-plane α-Ga
2
O
3
by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
(unauthenticated)
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
Step-and-terrace surface formation on (−112) β-Ga
2
O
3
via thermal annealing
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-09-15
更新時刻
2026-09-14 09:13:42 +0900
Formation of near-vertical trenches and fins with flat {−201} sidewalls on (512) β-Ga
2
O
3
via TMAH wet etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-09-24 09:54:18 +0900
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
crystallographic etching
,
(011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900
キーワード
Ga2O3
(22)
HVPE
(5)
TMAH
(4)
(011)
(2)
ELO
(2)
HCl gas etching
(2)
dislocation
(2)
wet etching
(2)
(-102)
(1)
(−112)
(1)
AFM
(1)
Bandgap engineering
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
HCl
(1)
MEMS
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
TEM
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
Wide bandgap
(1)
air bridge
(1)
anisotropic etching
(1)
crystallographic etching
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
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plasma-free process
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selective area etching
(1)
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ジャーナル論文(22)
キーワード
Ga2O3 (22)
HVPE (5)
TMAH (4)
(011) (2)
ELO (2)
HCl gas etching (2)
dislocation (2)
wet etching (2)
(-102) (1)
(−112) (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (15)
In Copyright (4)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (2)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (22)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (1)
application/zip (1)