ファイル種別: application/pdf キーワード: Ga2O3

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EB_alpha-GO_240422-2HQ(clean).pdf
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
FLOSFIA INC.
キーワード
Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900

article.pdf
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900

162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900

042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900

Oshima_2025_Appl._Phys._Express_18_116501-1.pdf
Fabrication of β -Ga 2 O 3 /air-gap structures on (010) β -Ga 2 O 3 by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, wet etching, MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900

Epitaxial lateral overgrowth of m-plane -Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy-1.pdf
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900

Oshima - 2026 - Step-and-terrace surface formation on (−112) β-Ga 2 O 3 via thermal annealing-annotated.pdf
Step-and-terrace surface formation on (−112) β-Ga 2 O 3 via thermal annealing
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-09-15
更新時刻
2026-09-14 09:13:42 +0900

paper.pdf
Formation of near-vertical trenches and fins with flat {−201} sidewalls on (512) β-Ga 2 O 3 via TMAH wet etching
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-09-24 09:54:18 +0900

Suplementary.pdf
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, crystallographic etching, (011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900

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