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IoT データ収集システムのデータアーキテクチャ
Description/Abstract:
With the development of data-driven research, an efficient and practical data collection system is required. National Institute for Mater...
Keyword:
データアーキテクチャ
,
IoT
,
データ収集システム
,
メタデータ
, and
XML スキーマ
Resource Type:
Article
Author:
MATSUNAMI, Shigeyuki
,
MATSUDA, Asahiko
,
CHIKYOW, Toyohiro
,
HARADA, Yoshitomo
, and
YOSHIKAWA, Hideki
Journal:
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
Date Uploaded:
26/08/2021
Date Modified:
26/08/2021
CASベースのRDM認証・認可機構の漸増開発とアセスメント評価
Description/Abstract:
Research Data Management (RDM) at National Institute for Materials Science has been developed to support a whole of activities in life cy...
Keyword:
研究データ管理
and
認証・認可
Resource Type:
Article
Author:
KIKUCHI, Shinji
,
NAITO, Hiroyuki
,
KADOHIRA, Takuya
, and
TANAFUJI, Mikiko
Journal:
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
Date Uploaded:
25/08/2021
Date Modified:
25/08/2021
材料データプラットフォームシステムDICEにおける研究データフローの構築―実践と課題
Description/Abstract:
In response to a progress of data-driven science in the materials science field, NIMS (National Institute for Materials Science) started ...
Keyword:
研究データ
,
データフロー
,
相互利用 FAIR
,
材料データプラットフォーム DICE
,
データ リポジトリ
,
メタデータスキーマ
, and
マテリアル・インフォマティクス
Resource Type:
Article
Author:
TANIFUJI, Mikiko
and
YOSHIKAWA, Hideki
Journal:
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
Date Uploaded:
25/08/2021
Date Modified:
25/08/2021
InP/GaInAs多層膜のAES深さ方向分析のラウンドロビン試験報告(I)
Description/Abstract:
AES深さ方向分析の標準化を進めるために,InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った.参加した23機関の装置は3社に分類され,その仕様が異なるため,測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して,その他の条件は各機関に一任...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
InP/GaInAs Specimen
, and
Round Robin Test
Material/Specimen:
InP/GaInAs Multilayer
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
29/07/2021
Date Modified:
02/08/2021
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析
Description/Abstract:
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った.分析時の試料保持温度を常温および-190℃として,それぞれの温度について電子線電流密度を3段階に変えてデプスプロファイルを取得した.イオン加速電圧は3kVである.また,測定したオー...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Sample Cooling Method
, and
SiO2/Si
Material/Specimen:
SiO2:103nm/Si-Substrate
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
26/07/2021
Date Modified:
26/07/2021
Data management and adoption of the FAIR principle; perspective from a research institution
Description/Abstract:
オープンサイエンスに関する各種ポリシーやガイドラインが整備されつつある中で、研究ワークフローの形成と共に進む研究データの利活用に関するFAIR原則(Findable, Accessible, Interoperable and Reusable)への取り組みを、材料データプ...
Keyword:
materials data platform DICE
,
data sets
,
linked data
,
materials database
,
materials data repository MDR
, and
FAIR
Resource Type:
Presentation
Author:
TANIFUJI, Mikiko
Date Uploaded:
18/06/2021
Date Modified:
21/06/2021
High-Sensitivity and High-Depth Resolution Auger Depth Profiling Using an Inclined Holder based on Geometric Characteristics of Auger Electron Spectroscopy Apparatus Equipped with Concentric Hemispherical Analyzer
Description/Abstract:
半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では,傾斜ホルダーを用いると装置のジオ メトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の 回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は,傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を 設定でき,電...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Inclined Holder
,
GaAs/AlAs Superlattice
, and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Material/Specimen:
GaAs/AlAs Superlattice
and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
,
Nagatomi, Takaharu
,
Kim, Kyung Joong
, and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
14/06/2021
Date Modified:
18/06/2021
Auger Depth Profiling Analysis of FeNi/CoFeB/FeNi Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
Description/Abstract:
磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために,極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った.その...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
, and
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
Material/Specimen:
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
,
Yanagiuchi, Katsuaki
, and
Yoshikawa, Hideki
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
04/06/2021
Arイオンスパッタリングされた各種化合物半導体表面のSEM観察
Description/Abstract:
各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして,その表面のSEM観察を行なった.そして,イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた.その結果,表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...
Keyword:
compound semiconductor
,
surface observation using a scanning electron microscope
, and
argon ion sputtering
Material/Specimen:
InP
,
InSb
,
InAs
,
GaAs
,
GaSb
, and
GaP
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
04/06/2021
InP/GaInAsP多層膜におけるAES深さ分解能の温度依存性
Description/Abstract:
InP/GaInAsP多層膜を用いて,AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった.試料温度は,0〜50℃(10℃間隔)およびー120,−20℃の8条件としてデプスプロファイルを取得した.スパッタリング条件は,イオン種:Ar,イオン加速電圧:1...
Keyword:
InP/GaInAsP多層膜
,
Auger Depth Profiling Analysis
,
Depth Resolution
, and
Sample Temperature
Material/Specimen:
InP/GaInAsP Multilayer Film
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
28/05/2021
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金材技研ニュース
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無機材研ニュース
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材技研ニュース
99
The history of DICE and NIMS Digital Library
48
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Collections
»
Keyword
fiber fuse
19
optical fuse
11
presentation
11
self-archiving
9
Auger Depth Profiling Analysis
8
more
Keywords
»
Language
Japanese
[remove]
995
English
1
Publisher
金属材料技術研究所
530
無機材質研究所
277
National Institute for Materials Science
27
TIC
13
Surface Analysis Society of Japan
8
more
Publishers
»
Resource type
Report
817
Article
67
Presentation
53
Other
45
Conference Proceeding
9
more
Resource types
»
Visibility
open
995
Rights Statement Sim
In Copyright
870
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International
19
Creative Commons BY Attribution 4.0 International
9
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International
8
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 International
6
more
Rights Statement Sims
»
Material/Specimen
InP/GaInAsP multilayer specimens
2
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
1
GaAs
1
GaAs/AlAs Superlattice
1
GaAs/AlAs Superlattice and Si/Ge multiple delta-doped layers
1
more
Material/Specimen
»
Date accepted
2013
1
2017
1
Date submitted
2013
1
Date
1995
26
1905
25
1993
25
1996
25
1997
25
more
Dates
»
Creator
轟 眞市
55
TANIFUJI, Mikiko
7
谷藤 幹子
6
井上 悟
4
TODOROKI, Shin-ichi
3
more
Creators
»
Author
田沼 繁夫
11
Ogiwara, Toshiya
9
Tanuma, Shigeo
8
出村 雅彦
6
MATSUDA, Asahiko
5
more
Authors
»
Editor
無機材質研究所
282
吉村 浩
103
林 弘
61
越川 隆光
46
保坂 彬夫
36
more
Editors
»
License
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
6
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.1/jp/
4
http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/
4
CC-BY
2
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.1/jp/
2
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Licenses
»
Funder
JSPS
7
JST
3
日本学術振興会
3
ESICMM
1
NEDO
1
more
Funders
»
Journal
マテリアルインテグレーション
19
工業材料
13
Journal of Surface Analysis
7
Journal of The Surface Science Society of Japan
6
Ceramics Japan
4
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Journals
»