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InP/GaInAs多層膜のAES深さ方向分析のラウンドロビン試験報告（I）
MDR Open Deposited
AES深さ方向分析の標準化を進めるために，InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った．参加した２３機関の装置は３社に分類され，その仕様が異なるため，測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して，その他の条件は各機関に一任した．イオンスパッタリングにはスポットビームおよびそれをスキャンしたラスタービームの２種類を用いて，P LVV, In MNN のデプスプロファイルを取得した．その結果，スポットビームで測定した P LVV の深さ分解能は分析深さに依存せずほぼ一定であった．そして，各界面における深さ分解能は２３機関でよい一致が見られた．また，分析後の表面凹凸が小さい試料ほど深さ分解能は優れていた．しかし，深さ分解能とイオン電流密度，オージェ電子脱出深さとの関係についてはメーカーおよび装置別に一様な関係を見い出せなかった．この要因は，イオンスパッタリングによる表面あれおよびアトミックミキシングの大きさが測定条件および装置の仕様により異なるためと考えられる．
- DOI
- First published at
- Creator
- Keyword
- Resource type
- Material/Specimen
- InP/GaInAs Multilayer
- Publisher
- Date published
- 16/11/1995
- Rights statement
- Licensed Date
- 20/10/1995
- Journal
- Language
- Last modified
- 02/08/2021
Items
| Thumbnail | Title | Date Uploaded | Size | Visibility | Actions |
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Vol.1_No.3_374-387.pdf | 29/07/2021 | 902 KB | MDR Open |
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