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Arイオンスパッタリングされた各種化合物半導体表面のSEM観察

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各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして，その表面のSEM観察を行なった．そして，イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた．その結果，表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに生成する場合の大きく２種類に分類できることが明らかになった．また，表面あれはイオンスパッタリング時に試料回転を行うことで，全ての化合物半導体においてその生成が著しく抑制された．また，試料温度は表面の形状を大きく左右した．これは，スパッタリング後の原子再配列の温度依存性が大きいためと考えられる．

DOI
First published at
Creator
Keyword
Resource type
Material/Specimen
  • InP
  • InSb
  • InAs
  • GaAs
  • GaSb
  • GaP
Publisher
Date published
  • 08/03/1995
Rights statement
Licensed Date
  • 25/01/1995
Journal
  • Title
    Journal of Surface Analysis
    ISSN
    1341-1756
    Alternative title
    JSA
    Volume
    1
    Issue
    1
    Start page
    36
    End page
    42
    Total number of pages
    7
Language
Last modified
  • 04/06/2021

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