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試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析

MDR Open Deposited

試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った.分析時の試料保持温度を常温および-190℃として,それぞれの温度について電子線電流密度を3段階に変えてデプスプロファイルを取得した.イオン加速電圧は3kVである.また,測定したオージェピークはSi LVV および O KLL である.その結果,常温における深さ分解能は電子線電流密度に依存し,高いほど低下した.一方,試料冷却法を併用した場合には,深さ分解能の値は 3.8~5.8 nm であり,優れた深さ分解能で測定が可能であった.試料冷却法を併用したAES深さ方向分析は電子線照射によるダメージを抑制できる手法と考えられる.

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Material/Specimen
  • SiO2:103nm/Si-Substrate
Publisher
Date published
  • 08/02/1996
Rights statement
Licensed Date
  • 07/12/1995
Journal
Language
Last modified
  • 26/07/2021

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