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InP/GaInAsP多層膜におけるAES深さ分解能の温度依存性

MDR Open Deposited

InP/GaInAsP多層膜を用いて,AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった.試料温度は,0〜50℃(10℃間隔)およびー120,−20℃の8条件としてデプスプロファイルを取得した.スパッタリング条件は,イオン種:Ar,イオン加速電圧:1kV,測定したAugerピークはP LVV,In MNNである.その結果,深さ分解能は明確に試料の温度に依存し,温度が低くなるほど著しく向上することがわかった.また,深さ分解能と表面あれには相関関係がみられた.そして,深さ分解能を低下させる主要因は表面あれであると考えられる.

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Keyword
Resource type
Material/Specimen
  • InP/GaInAsP Multilayer Film
Publisher
Date published
  • 17/05/1995
Rights statement
Licensed Date
  • 24/03/1995
Journal
Language
Last modified
  • 28/05/2021

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