Skip to Content
Toggle navigation
Home
About
Help
Contact
Login
Search MDR
Go
Search Constraints
Start Over
Filtering by:
Language
Japanese
Remove constraint Language: Japanese
Resource type
Article
Remove constraint Resource type: Article
« Previous
|
51
-
60
of
70
|
Next »
Sort by relevance
relevance
date uploaded ▼
date uploaded ▲
date modified ▼
date modified ▲
Number of results to display per page
10 per page
10
per page
20
per page
50
per page
100
per page
View results as:
List
Gallery
Masonry
Slideshow
Search Results
CASベースのRDM認証・認可機構の漸増開発とアセスメント評価
Description/Abstract:
Research Data Management (RDM) at National Institute for Materials Science has been developed to support a whole of activities in life cy...
Keyword:
研究データ管理
and
認証・認可
Resource Type:
Article
Author:
KIKUCHI, Shinji
,
NAITO, Hiroyuki
,
KADOHIRA, Takuya
, and
TANAFUJI, Mikiko
Journal:
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
Date Uploaded:
25/08/2021
Date Modified:
25/08/2021
材料データプラットフォームシステムDICEにおける研究データフローの構築―実践と課題
Description/Abstract:
材料分野でのデータ駆動型の材料研究の進展を受けて,物質 ・ 材料研究機構(National Institute for Materials Science, NIMS)は,材料データプラットフォームシステムの開発に 2017 年に着手し,2020年からサービス名 DICE ...
Keyword:
研究データ
,
データフロー
,
相互利用 FAIR
,
材料データプラットフォーム DICE
,
データ リポジトリ
,
メタデータスキーマ
, and
マテリアル・インフォマティクス
Resource Type:
Article
Author:
TANIFUJI, Mikiko
and
YOSHIKAWA, Hideki
Journal:
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
Date Uploaded:
25/08/2021
Date Modified:
25/08/2021
InP/GaInAs多層膜のAES深さ方向分析のラウンドロビン試験報告(I)
Description/Abstract:
AES深さ方向分析の標準化を進めるために,InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った.参加した23機関の装置は3社に分類され,その仕様が異なるため,測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して,その他の条件は各機関に一任...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
InP/GaInAs Specimen
, and
Round Robin Test
Material/Specimen:
InP/GaInAs Multilayer
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
29/07/2021
Date Modified:
02/08/2021
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析
Description/Abstract:
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った.分析時の試料保持温度を常温および-190℃として,それぞれの温度について電子線電流密度を3段階に変えてデプスプロファイルを取得した.イオン加速電圧は3kVである.また,測定したオー...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Sample Cooling Method
, and
SiO2/Si
Material/Specimen:
SiO2:103nm/Si-Substrate
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
26/07/2021
Date Modified:
26/07/2021
High-Sensitivity and High-Depth Resolution Auger Depth Profiling Using an Inclined Holder based on Geometric Characteristics of Auger Electron Spectroscopy Apparatus Equipped with Concentric Hemispherical Analyzer
Description/Abstract:
半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では,傾斜ホルダーを用いると装置のジオ メトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の 回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は,傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を 設定でき,電...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Inclined Holder
,
GaAs/AlAs Superlattice
, and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Material/Specimen:
GaAs/AlAs Superlattice
and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
,
Nagatomi, Takaharu
,
Kim, Kyung Joong
, and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
14/06/2021
Date Modified:
18/06/2021
Auger Depth Profiling Analysis of FeNi/CoFeB/FeNi Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
Description/Abstract:
磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために,極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った.その...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
, and
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
Material/Specimen:
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
,
Yanagiuchi, Katsuaki
, and
Yoshikawa, Hideki
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
04/06/2021
Arイオンスパッタリングされた各種化合物半導体表面のSEM観察
Description/Abstract:
各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして,その表面のSEM観察を行なった.そして,イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた.その結果,表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...
Keyword:
compound semiconductor
,
surface observation using a scanning electron microscope
, and
argon ion sputtering
Material/Specimen:
InP
,
InSb
,
InAs
,
GaAs
,
GaSb
, and
GaP
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
04/06/2021
InP/GaInAsP多層膜におけるAES深さ分解能の温度依存性
Description/Abstract:
InP/GaInAsP多層膜を用いて,AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった.試料温度は,0〜50℃(10℃間隔)およびー120,−20℃の8条件としてデプスプロファイルを取得した.スパッタリング条件は,イオン種:Ar,イオン加速電圧:1...
Keyword:
InP/GaInAsP多層膜
,
Auger Depth Profiling Analysis
,
Depth Resolution
, and
Sample Temperature
Material/Specimen:
InP/GaInAsP Multilayer Film
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
28/05/2021
Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
Description/Abstract:
We have investigated the Auger depth profiling analysis of HfO2/Si by the glancing-angle ion beam sputtering method at an incident angle ...
Keyword:
Auger Depth Profiling analysis
,
HfO2/Si
, and
Ultra Low Angle Incidence Ion Beam
Material/Specimen:
HfO2
Resource Type:
Article
Author:
Yoshikawa, Hideki
,
Ogiwara, Toshiya
, and
Nagata, Takahiro
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
25/05/2021
Date Modified:
26/05/2021
電子線マイクロアナライザーによるMg-Ge合金の定量 -Mg Kαに対するGeの質量吸収係数の検討-, Electron microprobe analysis of Mg-Ge alloy -Examination of the mass absorption coefficient of Ge for MgKα–
Description/Abstract:
電子線マイクロアナライザーは広く材料の分析に用いられ,定量分析法はZAF法としてほぼ確立されている.しかし,Mg-Ge合金においては,定量分析の結果MgとGeの濃度の合計120wt.% と異常な値を示した.しかも電子線の加速電圧が高くなるに従ってMgの定量値が上昇する.こ...
Keyword:
Mg-Ge alloy
,
ZAF
,
electron probe microanalyzer
, and
mass absorption coefficient
Resource Type:
Article
Author:
Nishio, Mitsuaki
,
Imai, Motoharu
,
Tanuma, Shigeo
,
Yoshikawa, HIdeki
, and
Isoda, Yukihiro
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
20/07/2020
Date Modified:
22/07/2020
« Previous
Next »
1
2
3
4
5
6
7
Toggle facets
Limit your search
Type of work
Publication
70
Collection
The history of DICE and NIMS Digital Library
8
Keyword
Auger Depth Profiling Analysis
8
fiber fuse
7
Auger depth profiling analysis
3
IMFP
3
hydrogen permeation
3
more
Keywords
»
Language
Japanese
[remove]
70
Publisher
National Institute for Materials Science
10
Surface Analysis Society of Japan
8
Surface Science Society of Japan
5
Surface Science Society Japan
4
情報処理学会
3
more
Publishers
»
Resource type
Article
[remove]
70
Other
1
Software or Program Code
1
Visibility
open
70
Rights Statement Sim
In Copyright
42
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International
12
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International
4
Creative Commons BY Attribution 4.0 International
3
Material/Specimen
InP/GaInAsP multilayer specimens
2
FeNi/CoFeB/FeNi Thin Film
1
GaAs
1
GaAs/AlAs Superlattice
1
GaAs/AlAs Superlattice and Si/Ge multiple delta-doped layers
1
more
Material/Specimen
»
Date accepted
2013
1
2017
1
Date submitted
2013
1
Date
2005
4
2008
2
2006
1
2007
1
2013
1
Creator
轟 眞市
9
井上 悟
1
Author
Ogiwara, Toshiya
9
Tanuma, Shigeo
8
出村 雅彦
6
田沼 繁夫
5
OGIWARA, Toshiya
4
more
Authors
»
License
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
1
https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
1
Funder
JSPS
7
JST
3
日本学術振興会
3
ESICMM
1
TIA かけはし
1
more
Funders
»
Journal
Journal of Surface Analysis
7
Journal of The Surface Science Society of Japan
6
Ceramics Japan
3
Vacuum and Surface Science
3
情報処理学会論文誌デジタルプラクティス
3
more
Journals
»