18 件のレコードが見つかりました。
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
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;Kazuto Murakami (author) (この著者で検索);Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)Takahiro Tomita (author) (この著者で検索) - キーワード
- Ga2O3, HVPE, Cr2O3
- 刊行年月日
- 2026-02-21
- 更新時刻
- 2026-02-18 16:30:15 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-04-23 12:30:12 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
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Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)FLOSFIA INC.
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
- 刊行年月日
- 2025-05-19
- 更新時刻
- 2025-05-21 16:30:09 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
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Mugove Maruzane (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0004-9207-0424
(unauthenticated)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Olha Makydonska (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0008-5562-2137
(unauthenticated)
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Paul R Edwards (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-7671-7698
(unauthenticated)
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Robert W Martin (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-6119-764X
(unauthenticated)
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Fabien C-P Massabuau (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0003-1008-1652
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, dislocation
- 刊行年月日
- 2025-01-20
- 更新時刻
- 2024-11-13 08:31:40 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
- ジャーナル論文
- 著者
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;Qihao Zhang (author) (この著者で検索)Jiangwei Liu (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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;Chunming Tu (author) (この著者で検索);Dongyuan Zhai (author) (この著者で検索);Min He (author) (この著者で検索)Jiwu Lu (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, Transistor
- 刊行年月日
- 2023-01-03
- 更新時刻
- 2025-01-04 16:30:50 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Rie Togashi (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
- 刊行年月日
- 2024-12-31
- 更新時刻
- 2024-07-31 12:30:20 +0900
Epitaxial relationship of NiO on (-102) β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Shinji Nakagomi (author) (この著者で検索)Ishinomaki Senshu University Faculty of Science and Engineering
- キーワード
- Ga2O3, NiO, epitaxial relationship
- 刊行年月日
- 2023-12-01
- 更新時刻
- 2024-11-23 16:30:35 +0900