Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
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- キーワード
- Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-04-23 12:30:12 +0900
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, crystallographic etching, (011)
- 刊行年月日
- 2025-01-01
- 更新時刻
- 2026-01-24 15:43:35 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
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;Kazuto Murakami (author) (この著者で検索);Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)Takahiro Tomita (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HVPE, Cr2O3
- 刊行年月日
- 2026-02-21
- 更新時刻
- 2026-02-18 16:30:15 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
Fabrication of β -Ga 2 O 3 /air-gap structures on (010) β -Ga 2 O 3 by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, wet etching, MEMS
- 刊行年月日
- 2025-11-01
- 更新時刻
- 2025-11-27 08:30:13 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching, air bridge
- 刊行年月日
- 2025-05-01
- 更新時刻
- 2025-05-07 12:30:22 +0900
Lattice-matched (Al x Sc y Ga1− x − y )2O3/ β -Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
- ジャーナル論文
- 著者
-
Kazuki Koreishi (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
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Kodai Niitsu (author) (この著者で検索)
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Takuto Soma (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
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Kohei Yoshimatsu (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
;
Akira Ohtomo (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, Wide bandgap, Bandgap engineering
- 刊行年月日
- 2026-07-06
- 更新時刻
- 2026-08-06 09:39:59 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Qihao Zhang (author) (この著者で検索)Jiangwei Liu (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
;Chunming Tu (author) (この著者で検索);Dongyuan Zhai (author) (この著者で検索);Min He (author) (この著者で検索)Jiwu Lu (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, Transistor
- 刊行年月日
- 2023-01-03
- 更新時刻
- 2025-01-04 16:30:50 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 14:36:41 +0900