7 件のレコードが見つかりました。
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
Mugove Maruzane (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0004-9207-0424
(unauthenticated)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Olha Makydonska (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0008-5562-2137
(unauthenticated)
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Paul R Edwards (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-7671-7698
(unauthenticated)
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Robert W Martin (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-6119-764X
(unauthenticated)
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Fabien C-P Massabuau (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0003-1008-1652
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, dislocation
- 刊行年月日
- 2025-01-20
- 更新時刻
- 2024-11-13 08:31:40 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索)Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, power device, epitaxy
- 刊行年月日
- 2019-10-28
- 更新時刻
- 2024-01-29 15:08:11 +0900
XAFS spectrum of Gallium(III) Oxide
- データセット
- コレクション
- MDR XAFS DB
- 著者
-
Masashi Ishii (editor) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Aichi SR (author) (この著者で検索)Aichi Synchrotron Radiation Center
- キーワード
- Gallium(III) Oxide, Ga2O3, Ga K-edge, Oxide, Si(111), BL5S1, Aichi SR, XAFS, collection - MDR XAFS DB
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2025-05-02 21:35:19 +0900
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Yuji Kato (author) (この著者で検索)Masataka Imura (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, Superlattice
- 刊行年月日
- 2019-06-01
- 更新時刻
- 2024-01-05 22:11:34 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
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;Kazuto Murakami (author) (この著者で検索);Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)Takahiro Tomita (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HVPE, Cr2O3
- 刊行年月日
- 2026-02-21
- 更新時刻
- 2026-02-18 16:30:15 +0900