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X線光電子分光法 (2)
キーワード: GaN
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23 件のレコードが見つかりました。
Communication—A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO
2
Process
論文
著者
Yoshihiro Irokawa
;
Toshihide Nabatame
; Tomomi Sawada ; Manami Miyamoto ; Hiromi Miura ;
Kazuhito Tsukagoshi
;
Yasuo Koide
キーワード
GaN
刊行年月日
2024-08-01
更新時刻
2024-09-02 12:30:27 +0900
Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation
論文
著者
Hironori Okumura ; Yohei Ogawara ; Manabu Togawa ; Masaya Miyahara ; Tadaaki Isobe ; Kosuke Itabashi ; Jiro Nishinaga ;
Masataka Imura
キーワード
GaN
,
Schottky barrier diode
,
MOCVD
,
Vertical-type PN junction diode
,
Radiation irradiations
,
Proton
,
Xe
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-08-24 08:30:18 +0900
Formation of GaN mesas with reverse-tapered edge structures on a lattice-matched AlInN layer for a positive beveled edge termination
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Masataka Imura
;
Yuichi Oshima
キーワード
GaN
,
AlInN
,
etching
,
positive bevel edge termination
刊行年月日
2024-08-01
更新時刻
2024-08-02 12:30:52 +0900
Magnetoresistance analysis of two-dimensional hole gases in GaN/AlGaN/GaN double heterostructures
論文
著者
S. Yamada
; A. Fujimoto ;
S. Yagi
;
H. Narui
; E. Yamaguchi ;
Y. Imanaka
キーワード
GaN
,
Double Heterostructures
,
Hole gas
,
Magnetoresistance
,
Spin-Orbit coupling
刊行年月日
2024-06-24
更新時刻
2024-07-13 08:30:10 +0900
Classification for transmission electron microscope images from different amorphous states using persistent homology
論文
著者
Fumihiko Uesugi
;
Masashi Ishii
キーワード
Amorphous structure
,
TEM image simulation
,
GaN
,
persistent homology
刊行年月日
2022-06-06
更新時刻
2024-07-04 16:32:11 +0900
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetime of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers
論文
著者
Shigefusa F. Chichibu ; Kohei Shima ; Akira Uedono ; Shoji Ishibashi ; Hiroko Iguchi ; Tetsuo Narita ; Keita Kataoka ; Ryo Tanaka ; Shinya Takashima ; Katsunori Ueno ; Masaharu Edo ; Hirotaka Watanabe ; Atsushi Tanaka ; Yoshio Honda ; Jun Suda ; Hiroshi Amano ; Tetsu Kachi ;
Toshihide Nabatame
;
Yoshihiro Irokawa
;
Yasuo Koide
キーワード
GaN
刊行年月日
2024-05-14
更新時刻
2024-05-09 16:30:16 +0900
Pt/GaN Schottky barrier height lowering by incorporated hydrogen
論文
著者
色川 芳宏
;
大井 暁彦
;
生田目 俊秀
;
小出 康夫
キーワード
GaN
,
hydrogen
,
Schottky barrier height
刊行年月日
2024-04-01
更新時刻
2024-04-10 16:30:21 +0900
Local defect and mid-gap state analysis of GaN using monochromated EELS combined with nanodiffraction and atomic-resolution imaging
論文
著者
Shunsuke Yamashita
; Sei Fukushima ;
Jun Kikkawa
; Ryoji Arai ;
Yuya Kanitani
;
Koji Kimoto
; Yoshihiro Kudo
キーワード
defect
,
GaN
,
EELS
,
4D-STEM
,
HAADF-STEM
,
ABF-STEM
,
HAXPES
刊行年月日
2024-03-01
更新時刻
2024-03-19 16:56:29 +0900
Ab-initio phonon calculation for GaN / F-43m (216) / materials id 830
データセット
コレクション
MDR phonon calculation database
著者
Atsushi Togo
キーワード
Phonon
,
GaN
,
F-43m (216)
刊行年月日
更新時刻
2023-05-14 19:05:25 +0900
Ab-initio phonon calculation for GaN / P6_3mc (186) / materials id 804
データセット
コレクション
MDR phonon calculation database
著者
Atsushi Togo
キーワード
Phonon
,
GaN
,
P6_3mc (186)
刊行年月日
更新時刻
2023-05-14 19:03:39 +0900
キーワード
GaN
(23)
SPring-8
(4)
Gallium nitride
(2)
HAXPES
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Lattice thermal conductivity
(2)
Oxidation
(2)
Phonon
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AlInN
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AlN
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Dislocation
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HAADF-STEM
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ML
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MOCVD
(1)
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(1)
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Magnetoresistance
(1)
NEMS
(1)
P6_3mc (186)
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Proton
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Radiation irradiations
(1)
Schottky barrier diode
(1)
Schottky barrier height
(1)
Si
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Spin-Orbit coupling
(1)
Surface oxidation
(1)
TEM image simulation
(1)
Vertical-type PN junction diode
(1)
Xe
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calculation
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defect
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defect passivation
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diamond
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energy storage
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etching
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hydrogen
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nitrosyl fluoride
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persistent homology
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temperature coefficient of frequency
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thermal conductivity
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RDE送り状
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