First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 14:36:41 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / R-3c (167) / materials id 1243
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 12:32:36 +0900
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching
- 刊行年月日
- 2023-06-01
- 更新時刻
- 2024-06-15 08:30:13 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching, air bridge
- 刊行年月日
- 2025-05-01
- 更新時刻
- 2025-05-07 12:30:22 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900