XAFS spectrum of Gallium(III) Oxide
- データセット
- コレクション
- MDR XAFS DB
- 著者
-
Masashi Ishii (editor) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
Aichi SR (author) (この著者で検索)Aichi Synchrotron Radiation Center - キーワード
- Gallium(III) Oxide, Ga2O3, Ga K-edge, Oxide, Si(111), BL5S1, Aichi SR, XAFS, collection - MDR XAFS DB
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2025-05-02 21:35:19 +0900
Original dataset for ID 208 Ga2O3 in Thermophysical Property Database
- データセット
- コレクション
- Thermophysical Property Original Datasets
- 著者
-
;Takehiko Ishikawa (depositor) (この著者で検索)Japan Aerospace Exploration AgencyMasashi Ishii (editor) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, Ceramic, Density, ISS-ELF, Electrostatic Levitation, collection - Thermophys Datasets
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2024-03-30 18:40:44 +0900
Ab-initio phonon calculation for Ga2O3 / R-3c (167) / materials id 1243
- データセット
- コレクション
- MDR phonon calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science MaDIS
- キーワード
- Phonon, Ga2O3, R-3c (167)
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2023-05-14 18:35:31 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
Ab-initio phonon calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR phonon calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science MaDIS
- キーワード
- Phonon, Ga2O3, C2/m (12)
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2023-05-14 18:54:18 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索)Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, power device, epitaxy
- 刊行年月日
- 2019-10-28
- 更新時刻
- 2024-01-29 15:08:11 +0900
Lattice-matched (Al x Sc y Ga1− x − y )2O3/ β -Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
- ジャーナル論文
- 著者
-
Kazuki Koreishi (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
;
Kodai Niitsu (author) (この著者で検索)
;
Takuto Soma (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
;
Kohei Yoshimatsu (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
;
Akira Ohtomo (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, Wide bandgap, Bandgap engineering
- 刊行年月日
- 2026-07-06
- 更新時刻
- 2026-08-06 09:39:59 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 14:36:41 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Qihao Zhang (author) (この著者で検索)Jiangwei Liu (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
;Chunming Tu (author) (この著者で検索);Dongyuan Zhai (author) (この著者で検索);Min He (author) (この著者で検索)Jiwu Lu (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, Transistor
- 刊行年月日
- 2023-01-03
- 更新時刻
- 2025-01-04 16:30:50 +0900