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In Copyright (7)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (22)
application/zip (1)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: Ga2O3
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22 件のレコードが見つかりました。
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga
2
O
3
by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
(110)- and (−134)-faceted surface morphology of halide vapor phase epitaxy-grown
β-
Ga
2
O
3
homoepitaxial layers on (011) substrates
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(011)
,
AFM
,
TEM
刊行年月日
2026-07-15
更新時刻
2026-07-09 10:29:39 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of
m
-plane α-Ga
2
O
3
by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
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)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
(unauthenticated)
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/
β
-Ga2O3 (001) interfaces
ジャーナル論文
著者
Takayuki Harada
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0002-8657-2258
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayuki Harada
;
Takuro Nagai
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-5239-3334
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takuro Nagai
;
Kohei Sasaki
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
Kohei Sasaki
キーワード
Thin film
,
Ga2O3
,
Delafossite
,
Power devices
,
Schottky
刊行年月日
2026-06-01
更新時刻
2026-06-10 14:51:59 +0900
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(−112)
,
HVPE
,
HCl gas etching
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-07-16 10:12:49 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick
c
-plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Shiyu Xiao
(author) (
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)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
Shiyu Xiao
;
Kazuto Murakami
(author) (
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)
Kazuto Murakami
;
Katsuhiro Imai
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Katsuhiro Imai
;
Takahiro Tomita
(author) (
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Takahiro Tomita
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
,
Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
ジャーナル論文
著者
Qihao Zhang
(author) (
この著者で検索
)
Qihao Zhang
;
Jiangwei Liu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Jiangwei Liu
;
Chunming Tu
(author) (
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)
Chunming Tu
;
Dongyuan Zhai
(author) (
この著者で検索
)
Dongyuan Zhai
;
Min He
(author) (
この著者で検索
)
Min He
;
Jiwu Lu
(author) (
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)
Jiwu Lu
キーワード
Ga2O3
,
Transistor
刊行年月日
2023-01-03
更新時刻
2025-01-04 16:30:50 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi
(author) (
この著者で検索
)
Elaheh Ahmadi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
power device
,
epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
キーワード
Ga2O3
(22)
HVPE
(6)
TMAH
(4)
dislocation
(3)
ELO
(2)
wet etching
(2)
(-102)
(1)
(011)
(1)
(−112)
(1)
AFM
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
HCl
(1)
HCl gas etching
(1)
MEMS
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
TEM
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
anisotropic etching
(1)
b-Ga2O3
(1)
dopant
(1)
epitaxy
(1)
etching
(1)
fcc
(1)
forming gas
(1)
plasma-free process
(1)
power device
(1)
selective area etching
(1)
selective area growth
(1)
κ-Ga2O3
(1)
RDEメタデータ定義
RDE送り状
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1
2
3
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