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ジャーナル論文(15)
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Ga2O3 (15)
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Creative Commons BY Attribution 4.0 International (11)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (2)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
In Copyright (1)
ファイル種別
application/pdf (15)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (1)
application/zip (1)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: Ga2O3
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Formation of near-vertical trenches and fins with flat {−201} sidewalls on (512) β-Ga
2
O
3
via TMAH wet etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-09-24 09:54:18 +0900
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
crystallographic etching
,
(011)
刊行年月日
2025-01-01
更新時刻
2026-01-24 15:43:35 +0900
HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(−112)
,
HVPE
,
HCl gas etching
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-07-16 10:12:49 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
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)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HCl gas etching
,
air bridge
刊行年月日
2025-05-01
更新時刻
2025-05-07 12:30:22 +0900
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga
2
O
3
by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
Step-and-terrace surface formation on (−112) β-Ga
2
O
3
via thermal annealing
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-09-15
更新時刻
2026-09-14 09:13:42 +0900
High-performance β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and metal-semiconductor field-effect transistors on a high doping level epitaxial layer
ジャーナル論文
著者
Qihao Zhang
(author) (
この著者で検索
)
Qihao Zhang
;
Jiangwei Liu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Jiangwei Liu
;
Chunming Tu
(author) (
この著者で検索
)
Chunming Tu
;
Dongyuan Zhai
(author) (
この著者で検索
)
Dongyuan Zhai
;
Min He
(author) (
この著者で検索
)
Min He
;
Jiwu Lu
(author) (
この著者で検索
)
Jiwu Lu
キーワード
Ga2O3
,
Transistor
刊行年月日
2023-01-03
更新時刻
2025-01-04 16:30:50 +0900
キーワード
Ga2O3
(15)
HVPE
(4)
TMAH
(3)
HCl gas etching
(2)
(011)
(1)
(−112)
(1)
Bandgap engineering
(1)
Cr2O3
(1)
ELO
(1)
Ti/Pt/Au
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
Wide bandgap
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air bridge
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crystallographic etching
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dislocation
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wet etching
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資源タイプ
ジャーナル論文(15)
キーワード
Ga2O3 (15)
HVPE (4)
TMAH (3)
HCl gas etching (2)
(011) (1)
(−112) (1)
Bandgap engineering (1)
Cr2O3 (1)
ELO (1)
Ti/Pt/Au (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (11)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (2)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
In Copyright (1)
ファイル種別
application/pdf (15)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (1)
application/zip (1)