Suppression of 1/f noise in tunnel magnetoresistance (TMR) sensors is a central issue in the realization of magnetic field sensors with u...

パワーデバイスに向けたα-　および β- Ga2O3の材料およびデバイス開発の最新状況を概観する。

ScClxとNH3との反応によるHVPEでScNを育成した。成長速度は、原料分圧の増大に伴って最初は増加するが、やがて減少に転じ、最大成長速度は5um/h程度であった。基板は種々試みたが、サファイア(10-12)と(10-10)を用いたときに単一配向のScN(100)および...

The halide vapor phase epitaxy of e-Ga2O3 is demonstrated for the first time. The e-Ga2O3 films are grown on GaN (0001), AlN (0001), and ...

We demonstrated the epitaxial lateral overgrowth of (-1012) (r-plane) α-Ga2O3 using striped mask pattern along <-12-10>. α-Ga2O3 st...

We fabricated terahertz (THz) wave emitters from high-temperature superconductor Bi2 Sr2 CaCu2 O8þδ (Bi2212) single crystals annealed und...