Publication
Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers
MDR Open Deposited
ScClxとNH3との反応によるHVPEでScNを育成した。成長速度は、原料分圧の増大に伴って最初は増加するが、やがて減少に転じ、最大成長速度は5um/h程度であった。基板は種々試みたが、サファイア(10-12)と(10-10)を用いたときに単一配向のScN(100)および(110)がそれぞれ得られた。エピ表面は肉眼で鏡面であり、約2.1eVのバンドギャップに対応して真紅の外観を呈する。結晶性は、成長膜厚の増大に伴って大幅に改善し、ScN(110)膜の場合、X線ロッキングカーブ(XRC)半値幅は厚さ40umで98 arcsecに到達した。ホール測定の結果は、従来の報告と同様に強いn型を示したが、残留キャリア濃度は1e18 - 1e20 cm-3と従来報告値より大幅に低減し、移動度もそれに伴って高い値が得られた。
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- Date published
- 20/04/2014
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- Last modified
- 01/02/2024
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Hydride vapor phase epitaxy and characterization of highquality ScN epilayers.pdf | 1.52 MB | MDR Open |
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