Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, selective area growth
- 刊行年月日
- 2022-07-01
- 更新時刻
- 2024-01-05 22:13:27 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-04-23 12:30:12 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
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;Kazuto Murakami (author) (この著者で検索);Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)Takahiro Tomita (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, HVPE, Cr2O3
- 刊行年月日
- 2026-02-21
- 更新時刻
- 2026-02-18 16:30:15 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga 2 O 3 with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, wet etching, TMAH
- 刊行年月日
- 2026-12-31
- 更新時刻
- 2026-06-11 15:11:01 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
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Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)FLOSFIA INC.
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
- 刊行年月日
- 2025-05-19
- 更新時刻
- 2025-05-21 16:30:09 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/ β -Ga2O3 (001) interfaces
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayuki Harada (author) (この著者で検索)
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Takuro Nagai (author) (この著者で検索)
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Kohei Sasaki (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
- キーワード
- Thin film, Ga2O3, Delafossite, Power devices, Schottky
- 刊行年月日
- 2026-06-01
- 更新時刻
- 2026-06-10 14:51:59 +0900