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Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索) - キーワード
- α-Ga2O3, epitaxy, power device
- 刊行年月日
- 2022-12-26
- 更新時刻
- 2024-01-29 15:45:56 +0900