Epitaxial relationship of NiO on (-102) β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
;
Shinji Nakagomi (author) (この著者で検索)Ishinomaki Senshu University Faculty of Science and Engineering - キーワード
- Ga2O3, NiO, epitaxial relationship
- 刊行年月日
- 2023-12-01
- 更新時刻
- 2024-11-23 16:30:35 +0900
Ab-initio phonon calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR phonon calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science MaDIS
- キーワード
- Phonon, Ga2O3, C2/m (12)
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2023-05-14 18:54:18 +0900
Ab-initio phonon calculation for Ga2O3 / R-3c (167) / materials id 1243
- データセット
- コレクション
- MDR phonon calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science MaDIS
- キーワード
- Phonon, Ga2O3, R-3c (167)
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2023-05-14 18:35:31 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索)Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, power device, epitaxy
- 刊行年月日
- 2019-10-28
- 更新時刻
- 2024-01-29 15:08:11 +0900
Fabrication of β -Ga 2 O 3 /air-gap structures on (010) β -Ga 2 O 3 by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, wet etching, MEMS
- 刊行年月日
- 2025-11-01
- 更新時刻
- 2025-11-27 08:30:13 +0900
Lattice-matched (Al x Sc y Ga1− x − y )2O3/ β -Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
- ジャーナル論文
- 著者
-
Kazuki Koreishi (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
;
Kodai Niitsu (author) (この著者で検索)
;
Takuto Soma (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
;
Kohei Yoshimatsu (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
;
Akira Ohtomo (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
- キーワード
- Ga2O3, Wide bandgap, Bandgap engineering
- 刊行年月日
- 2026-07-06
- 更新時刻
- 2026-08-06 09:39:59 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / C2/m (12) / materials id 886
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 14:36:41 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for Ga2O3 / R-3c (167) / materials id 1243
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Center for Basic Research on Materials
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, Ga2O3
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 12:32:36 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga 2 O 3 with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
- ジャーナル論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, wet etching, TMAH
- 刊行年月日
- 2026-12-31
- 更新時刻
- 2026-06-11 15:11:01 +0900