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Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (1)
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ファイル種別
application/pdf (12)
application/zip (1)
ファイル種別: application/pdf
キーワード: Ga2O3
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Halide vapor phase epitaxy of a thick
c
-plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Shiyu Xiao
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0007-0382-0396
(unauthenticated)
Shiyu Xiao
;
Kazuto Murakami
(author) (
この著者で検索
)
Kazuto Murakami
;
Katsuhiro Imai
(author) (
この著者で検索
)
Katsuhiro Imai
;
Takahiro Tomita
(author) (
この著者で検索
)
Takahiro Tomita
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
,
Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
Mapping primary crystallographic planes in
β
-Ga
2
O
3
based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
fcc
刊行年月日
2026-02-16
更新時刻
2026-02-18 16:30:08 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of
m
-plane α-Ga
2
O
3
by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0000-5559-1432
(unauthenticated)
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
etching
,
HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
Lattice-matched (Al
x
Sc
y
Ga1−
x
−
y
)2O3/
β
-Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
ジャーナル論文
著者
Kazuki Koreishi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
Kazuki Koreishi
;
Kodai Niitsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-0430-8868
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Kodai Niitsu
;
Takuto Soma
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
Takuto Soma
;
Kohei Yoshimatsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
Kohei Yoshimatsu
;
Akira Ohtomo
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
Akira Ohtomo
キーワード
Ga2O3
,
Wide bandgap
,
Bandgap engineering
刊行年月日
2026-07-06
更新時刻
2026-08-06 09:39:59 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
Formation of near-vertical trenches and fins with flat {−201} sidewalls on (512) β-Ga
2
O
3
via TMAH wet etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-09-24 09:54:18 +0900
キーワード
Ga2O3
(12)
HVPE
(3)
TMAH
(3)
(−112)
(1)
Bandgap engineering
(1)
Cr2O3
(1)
ELO
(1)
HCl
(1)
HCl gas etching
(1)
Transistor
(1)
Wet etching
(1)
Wide bandgap
(1)
anisotropic etching
(1)
dislocation
(1)
etching
(1)
fcc
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(1)
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HVPE (3)
TMAH (3)
(−112) (1)
Bandgap engineering (1)
Cr2O3 (1)
ELO (1)
HCl (1)
HCl gas etching (1)
Transistor (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (9)
Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International (1)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (1)
In Copyright (1)
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