AES深さ方向分析の標準化を進めるために，InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った．参加した２３機関の装置は３社に分類され，その仕様が異なるため，測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して，その他の条件は各機関に一任...

各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして，その表面のSEM観察を行なった．そして，イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた．その結果，表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...

InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1...