Index Catalog // MDR

Description/Abstract:: 試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオー...
Keyword:: Auger Depth Profiling Analysis, Sample Cooling Method, and SiO2/Si
Material/Specimen:: SiO2:103nm/Si-Substrate
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 26/07/2021
Date Modified:: 26/07/2021

Description/Abstract:: 半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では，傾斜ホルダーを用いると装置のジオメトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は，傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を設定でき，電...
Keyword:: Auger Depth Profiling Analysis, Inclined Holder, GaAs/AlAs Superlattice, and Si/Ge multiple delta-doped layers
Material/Specimen:: GaAs/AlAs Superlattice and Si/Ge multiple delta-doped layers
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya, Nagatomi, Takaharu, Kim, Kyung Joong, and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 14/06/2021
Date Modified:: 18/06/2021

Description/Abstract:: 各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして，その表面のSEM観察を行なった．そして，イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた．その結果，表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...
Keyword:: compound semiconductor, surface observation using a scanning electron microscope, and argon ion sputtering
Material/Specimen:: InP, InSb, InAs, GaAs, GaSb, and GaP
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 28/05/2021
Date Modified:: 04/06/2021

Description/Abstract:: InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1...
Keyword:: InP/GaInAsP多層膜, Auger Depth Profiling Analysis, Depth Resolution, and Sample Temperature
Material/Specimen:: InP/GaInAsP Multilayer Film
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 28/05/2021
Date Modified:: 28/05/2021

Description/Abstract:: We calculated electron inelastic mean free paths (IMFPs) for liquid water from its optical energy-loss function (ELF) for electron energi...
Keyword:: EAL, Electron Inelastic Mean Free Path, IMFP, effective attenuation length, liquid water, relativistic TPP-2M, relativistic full Penn algorithm, and static structure factor
Resource Type:: Article
Author:: Shinotsuka, Hiroshi, Da, Bo, Tanuma, Shigeo, Yoshikawa, Hideki, Powell , Cedric J, and Penn, David R
Journal:: Surface and Interface Analysis
Date Uploaded:: 31/07/2020
Date Modified:: 02/07/2021

Description/Abstract:: 電子線マイクロアナライザーは広く材料の分析に用いられ，定量分析法はZAF法としてほぼ確立されている．しかし，Mg-Ge合金においては，定量分析の結果MgとGeの濃度の合計120wt.% と異常な値を示した．しかも電子線の加速電圧が高くなるに従ってMgの定量値が上昇する．こ...
Keyword:: Mg-Ge alloy, ZAF, electron probe microanalyzer, and mass absorption coefficient
Resource Type:: Article
Author:: Nishio, Mitsuaki, Imai, Motoharu, Tanuma, Shigeo, Yoshikawa, HIdeki, and Isoda, Yukihiro
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 20/07/2020
Date Modified:: 22/07/2020

Description/Abstract:: We have calculated mean escape depths (MEDs, D) of photoelectrons from Si, Cu, and Au excited by linearly polarized X-rays over the 50 to...
Keyword:: MED, asymmetry parameter, high-energy photoelectron spectroscopy, lnearly polarized X-rays, and mean escape depth
Resource Type:: Article
Author:: Tanuma, Shigeo, Yoshikawa, Hideki, Shinotsuka, Hiroshi, and Ueda, Ryuichi
Journal:: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
Date Uploaded:: 26/06/2020
Date Modified:: 02/07/2021

Description/Abstract:: We have calculated inelastic mean free paths (IMFPs) for 42 inorganic compounds (AgBr, AgCl, AgI, Al2O3, AlAs, AlN, AlSb, cubic BN, hexa...
Keyword:: Electron Inelastic Mean Free Path, IMFP, and TPP-2M
Resource Type:: Article
Author:: Shinotsuka, Hiroshi, Tanuma, Shigeo, Powell, Cedric J., and Penn, Dave R.
Journal:: Surface and Interface Analysis
Date Uploaded:: 26/06/2020
Date Modified:: 08/07/2021

Limit your search