AESやXPSに代表される表面電子分光法における定量化は, 1982年のVAMAS プロジェクト TWA-2 SCAの設立と1991年のISO TC201SCAの設立が２つの大きな転換点といえる。前者では，個々人の定量研究から国際共同研究を通して，定量の信頼性や正確性・遡及...

While the IMFP is a basic material parameter, the EAL, MED, and ID depend not only on the IMFP but also on the instrumental configuration...

VAMAS TWA2 表面化学分析における標準化は表面電子分光の装置仕様・校正法など基礎についてのものが多く，ほとんどのものはこのVAMAS活動により（個々人が）開発した手法，理論，データベース等に有用性が確認された後，ISOに提案され国際規格となっている．また，産業界にお...

「表面分析」は様々な捉え方が出来るが，ここでは実用的な「表面の化学分析」とする。産業界においては，表面分析は1980年代から現在にいたるまで材料評価の大きな部分を担っており，故障解析には不可欠のツールである。表面電子分光法を中心として，物作りを支える表面分析技術の現状とその...

固体中における電子の阻止能(SP)は，非弾性散乱を記述する基本的なパラメータの一つであり，表面電子分光法において電子輸送をシミュレートする場合に不可欠な物理量である．また，放射線計量における基本的物理量でもある。SPの値は10keV以上ではいわゆる相対論的Betheの式が一...

我々は適用できるエネルギー範囲が広く，幅広い材料に対して適用できる改良型IMFP予測式(Jablonski-Tanuma-Powell (JTP)式)を開発した。この式はTPP-2M式を改良したもので、50eVから200keVまでの電子ネルギー範囲における100物質に対する...