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Author
Ogiwara, Toshiya
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Author
Tanuma, Shigeo
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Journal of Surface Analysis
Remove constraint Journal: Journal of Surface Analysis
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InP/GaInAs多層膜のAES深さ方向分析のラウンドロビン試験報告(I)
Description/Abstract:
AES深さ方向分析の標準化を進めるために,InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った.参加した23機関の装置は3社に分類され,その仕様が異なるため,測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して,その他の条件は各機関に一任...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
InP/GaInAs Specimen
, and
Round Robin Test
Material/Specimen:
InP/GaInAs Multilayer
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
29/07/2021
Date Modified:
02/08/2021
High-Sensitivity and High-Depth Resolution Auger Depth Profiling Using an Inclined Holder based on Geometric Characteristics of Auger Electron Spectroscopy Apparatus Equipped with Concentric Hemispherical Analyzer
Description/Abstract:
半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では,傾斜ホルダーを用いると装置のジオ メトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の 回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は,傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を 設定でき,電...
Keyword:
Auger Depth Profiling Analysis
,
Inclined Holder
,
GaAs/AlAs Superlattice
, and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Material/Specimen:
GaAs/AlAs Superlattice
and
Si/Ge multiple delta-doped layers
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
,
Nagatomi, Takaharu
,
Kim, Kyung Joong
, and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
14/06/2021
Date Modified:
18/06/2021
Arイオンスパッタリングされた各種化合物半導体表面のSEM観察
Description/Abstract:
各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして,その表面のSEM観察を行なった.そして,イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた.その結果,表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...
Keyword:
compound semiconductor
,
surface observation using a scanning electron microscope
, and
argon ion sputtering
Material/Specimen:
InP
,
InSb
,
InAs
,
GaAs
,
GaSb
, and
GaP
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
04/06/2021
InP/GaInAsP多層膜におけるAES深さ分解能の温度依存性
Description/Abstract:
InP/GaInAsP多層膜を用いて,AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった.試料温度は,0〜50℃(10℃間隔)およびー120,−20℃の8条件としてデプスプロファイルを取得した.スパッタリング条件は,イオン種:Ar,イオン加速電圧:1...
Keyword:
InP/GaInAsP多層膜
,
Auger Depth Profiling Analysis
,
Depth Resolution
, and
Sample Temperature
Material/Specimen:
InP/GaInAsP Multilayer Film
Resource Type:
Article
Author:
Ogiwara, Toshiya
and
Tanuma, Shigeo
Journal:
Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:
28/05/2021
Date Modified:
28/05/2021
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Publication
4
Keyword
Auger Depth Profiling Analysis
3
Depth Resolution
1
GaAs/AlAs Superlattice
1
InP/GaInAs Specimen
1
InP/GaInAsP多層膜
1
more
Keywords
»
Language
Japanese
4
Publisher
Surface Analysis Society of Japan
4
Resource type
Article
4
Visibility
open
4
Rights Statement Sim
In Copyright
4
Material/Specimen
GaAs
1
GaAs/AlAs Superlattice
1
GaP
1
GaSb
1
InAs
1
more
Material/Specimen
»
Author
Ogiwara, Toshiya
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4
Tanuma, Shigeo
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4
Kim, Kyung Joong
1
Nagatomi, Takaharu
1
Journal
Journal of Surface Analysis
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