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Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
High Schottky barrier formation in tilted-dipole PdCoO2/ β -Ga2O3 (001) interfaces
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayuki Harada (author) (この著者で検索)
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Takuro Nagai (author) (この著者で検索)
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Kohei Sasaki (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-8923-7703
(unauthenticated)
- キーワード
- Thin film, Ga2O3, Delafossite, Power devices, Schottky
- 刊行年月日
- 2026-06-01
- 更新時刻
- 2026-06-10 14:51:59 +0900