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paper.pdf
Wet etching of (−102) β-Ga 2 O 3 with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, wet etching, TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
article.pdf
Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment of dry-etched trenches on (010) β-Ga2O3 to enhance trench profiles
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH
刊行年月日
2026-02-01
更新時刻
2026-02-25 12:30:03 +0900
jjap_65_3_038003-1.pdf
Mapping primary crystallographic planes in β -Ga 2 O 3 based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, fcc
刊行年月日
2026-02-16
更新時刻
2026-02-18 16:30:08 +0900
Oshima_2025_Appl._Phys._Express_18_116501-1.pdf
Fabrication of β -Ga 2 O 3 /air-gap structures on (010) β -Ga 2 O 3 by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, wet etching, MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
jjap_64_8_088001.pdf
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, TMAH, Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900
T. Oshima_Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography.docx
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, lithography
刊行年月日
2023-01-01
更新時刻
2024-01-24 11:20:15 +0900
paper_-112.pdf
HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga 2 O 3
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (−112), HVPE, HCl gas etching
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-07-16 10:12:49 +0900
jjap_65_13_138001.pdf
(110)- and (−134)-faceted surface morphology of halide vapor phase epitaxy-grown β- Ga 2 O 3 homoepitaxial layers on (011) substrates
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (011), AFM, TEM
刊行年月日
2026-07-15
更新時刻
2026-07-09 10:29:39 +0900
Rapid homoepitaxial growth of 011 -Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy.pdf
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga 2 O 3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
Fabrication of -Ga2O3 air-gap structures on 001 -Ga2O3 using HCl gas etching.pdf
Fabrication of β-Ga 2 O 3 /air-gap structures on (001) β-Ga 2 O 3 using HCl gas etching
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
β-Ga2O3, cantilever, air bridge, MEMS
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-09-04 12:30:25 +0900
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