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MDR lattice thermal conductivity calculation database(2)
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Ga2O3 (21)
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キーワード: Ga2O3
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Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HCl gas etching
,
air bridge
刊行年月日
2025-05-01
更新時刻
2025-05-07 12:30:22 +0900
Formation of near-vertical trenches and fins with flat {−201} sidewalls on (512) β-Ga
2
O
3
via TMAH wet etching
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-09-24 09:54:18 +0900
HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga
2
O
3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(−112)
,
HVPE
,
HCl gas etching
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-07-16 10:12:49 +0900
Wet etching of (−102) β-Ga
2
O
3
with tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
wet etching
,
TMAH
刊行年月日
2026-12-31
更新時刻
2026-06-11 15:11:01 +0900
Lattice-matched (Al
x
Sc
y
Ga1−
x
−
y
)2O3/
β
-Ga2O3 heterostructures with widely tunable bandgap
ジャーナル論文
著者
Kazuki Koreishi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0009-0000-1580-8262
(unauthenticated)
Kazuki Koreishi
;
Kodai Niitsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-0430-8868
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Kodai Niitsu
;
Takuto Soma
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8685-9606
(unauthenticated)
Takuto Soma
;
Kohei Yoshimatsu
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-9288-068X
(unauthenticated)
Kohei Yoshimatsu
;
Akira Ohtomo
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0300-4712
(unauthenticated)
Akira Ohtomo
キーワード
Ga2O3
,
Wide bandgap
,
Bandgap engineering
刊行年月日
2026-07-06
更新時刻
2026-08-06 09:39:59 +0900
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
selective area growth
刊行年月日
2022-07-01
更新時刻
2024-01-05 22:13:27 +0900
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
(author) (
この著者で検索
)
FLOSFIA INC.
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
Fabrication of
β
-Ga
2
O
3
/air-gap structures on (010)
β
-Ga
2
O
3
by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
TMAH
,
wet etching
,
MEMS
刊行年月日
2025-11-01
更新時刻
2025-11-27 08:30:13 +0900
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga
2
O
3
by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
;
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-9467-0755
(unauthenticated)
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0001-8293-4891
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
キーワード
Ga2O3
(21)
HVPE
(4)
HCl gas etching
(2)
Lattice thermal conductivity
(2)
TMAH
(2)
dislocation
(2)
wet etching
(2)
(−112)
(1)
Al2O3
(1)
Bandgap engineering
(1)
Cr2O3
(1)
Delafossite
(1)
ELO
(1)
MEMS
(1)
Power devices
(1)
Schottky
(1)
Superlattice
(1)
Thin film
(1)
Transistor
(1)
Wide bandgap
(1)
air bridge
(1)
anisotropic etching
(1)
atomic layer deposition
(1)
dummy-SiO2
(1)
forming gas
(1)
lithography
(1)
plasma-free process
(1)
positive bias stress
(1)
selective area growth
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HVPE (4)
HCl gas etching (2)
Lattice thermal conductivity (2)
TMAH (2)
dislocation (2)
wet etching (2)
(−112) (1)
Al2O3 (1)
Bandgap engineering (1)
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Creative Commons BY Attribution 4.0 International (14)
In Copyright (4)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (3)
ファイル種別
application/pdf (16)
application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document (3)
application/x-xz (2)
image/png (2)
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application/zip (1)