キーワード: Ga2O3
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Rapid homoepitaxial growth of 011 -Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy.pdf
Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga 2 O 3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-11-28 08:30:04 +0900
jjap_65_13_138001.pdf
(110)- and (−134)-faceted surface morphology of halide vapor phase epitaxy-grown β- Ga 2 O 3 homoepitaxial layers on (011) substrates
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (011), AFM, TEM
刊行年月日
2026-07-15
更新時刻
2026-07-09 10:29:39 +0900
alpha_SL.docx
α-Al2O3/Ga2O3 superlattices coherently grown on r-plane sapphire
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuji Kato (author) (この著者で検索)
;
Masataka Imura (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yoshiko Nakayama (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masaki Takeguchi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, Superlattice
刊行年月日
2018-06-01
更新時刻
2024-01-05 22:12:13 +0900
EB_alpha-GO_240422-2HQ(clean).pdf
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
FLOSFIA INC.
キーワード
Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 16:30:09 +0900
J_Appl_Phys_139_075302_(2026).pdf
Halide vapor phase epitaxy of a thick c -plane α-Ga2O3 film on a high-quality α-Cr2O3/sapphire template
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ; ORCID SAMURAI ;
Shiyu Xiao (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Kazuto Murakami (author) (この著者で検索)
;
Katsuhiro Imai (author) (この著者で検索)
;
Takahiro Tomita (author) (この著者で検索)
キーワード
Ga2O3, HVPE, Cr2O3
刊行年月日
2026-02-21
更新時刻
2026-02-18 16:30:15 +0900
NiO_Ga2O3.docx
Epitaxial relationship of NiO on (-102) β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Shinji Nakagomi (author) (この著者で検索)
Ishinomaki Senshu University Faculty of Science and Engineering
キーワード
Ga2O3, NiO, epitaxial relationship
刊行年月日
2023-12-01
更新時刻
2024-11-23 16:30:35 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m-plane -Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy-1.pdf
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3.pdf
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Elaheh Ahmadi (author) (この著者で検索)
;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, power device, epitaxy
刊行年月日
2019-10-28
更新時刻
2024-01-29 15:08:11 +0900
042110_1_5.0186319.pdf
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science Research Center for Electronic and Optical Materials
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
162102_1_5.0138736.pdf
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
ジャーナル論文
著者
Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Ga2O3, etching, HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
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